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STS4DNF30L

STS4DNF30L

참조 용

부품 번호 STS4DNF30L
PNEDA 부품 번호 STS4DNF30L
설명 MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
제조업체 STMicroelectronics
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

STS4DNF30L 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STS4DNF30L
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
STS4DNF30L, STS4DNF30L 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 595.25 KB)
PDFSTS4DNF30L 데이터 시트 표지
STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 2 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 3 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 4 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 5 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 6 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 7 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 8 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 9 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 10 STS4DNF30L 데이터 시트 페이지 11

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STS4DNF30L 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds330pF @ 25V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V, 8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

630mA, 775mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

375mOhm @ 630mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 20V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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Diodes Incorporated

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.6A, 6.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1810pF @ 20V

전력-최대

1.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

BSS138DW-7-F

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

200mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 220mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

200mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

FDG6303N_D87Z

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

500mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

450mOhm @ 500mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.6nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1400pF @ 10V

전력-최대

2W

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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