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AO4616

AO4616

참조 용

부품 번호 AO4616
PNEDA 부품 번호 AO4616
설명 MOSFET N/P-CH 30V 8A/7A 8-SOIC
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 303,720
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 21 - 2월 26 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AO4616 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AO4616
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AO4616, AO4616 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 382.37 KB)
PDFAO4616L_102 데이터 시트 표지
AO4616L_102 데이터 시트 페이지 2 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 3 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 4 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 5 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 6 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 7 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 8 AO4616L_102 데이터 시트 페이지 9

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AO4616 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)8A, 7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs20mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs18nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds888pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A, 1.95A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

125mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

205pF @ 20V

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 34mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 10V

전력-최대

520W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

APTM10HM19FT3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

70A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 35A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

200nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5100pF @ 25V

전력-최대

208W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

FDMD85100

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.9mOhm @ 10.4A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

31nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2230pF @ 50V

전력-최대

2.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerWDFN

공급자 장치 패키지

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FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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