AO4807L
참조 용
| 부품 번호 | AO4807L |
| PNEDA 부품 번호 | AO4807L |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,298 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AO4807L 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AO4807L |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AO4807L 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 760pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1130pF @ 15V 전력-최대 900mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-XFLGA Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-AlphaDFN (3.2x2) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 86mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.5nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 1206-8 ChipFET™ |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12.2pF @ 3V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 (1.6x1.6) |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.1A (Ta), 3.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4.6A, 4.5V, 59mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.2nC @ 4.5V, 13nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1003pF @ 6V, 1028pF @ 6V 전력-최대 1.36W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
