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APTC60HM45SCTG

APTC60HM45SCTG

참조 용

부품 번호 APTC60HM45SCTG
PNEDA 부품 번호 APTC60HM45SCTG
설명 MOSFET 4N-CH 600V 49A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,838
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60HM45SCTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60HM45SCTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60HM45SCTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형4 N-Channel (H-Bridge)
FET 기능Super Junction
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9.2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

57nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3450pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

IPG20N06S4L26ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 25V

전력-최대

33W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-4

AON3613

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel, Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

52mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

245pF @ 15V

전력-최대

2.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-DFN (2.9x2.3)

SH8J31GZETB

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2500pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI1903DL-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

995mOhm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

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