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AOB10B65M1

AOB10B65M1

참조 용

부품 번호 AOB10B65M1
PNEDA 부품 번호 AOB10B65M1
설명 IGBT 650V 10A TO263
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,614
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 28 - 4월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOB10B65M1 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOB10B65M1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AOB10B65M1, AOB10B65M1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 550.87 KB)
PDFAOB10B65M1 데이터 시트 표지
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AOB10B65M1 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈Alpha IGBT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
전력-최대150W
에너지 전환180µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/91ns
테스트 조건400V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)262ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지TO-263 (D2Pak)

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.81V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.22mJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

101ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PC40K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

42A

전류-수집기 펄스 (Icm)

84A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 25A

전력-최대

160W

에너지 전환

620µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/140ns

테스트 조건

480V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGD10NC60SDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.65V @ 15V, 5A

전력-최대

60W

에너지 전환

60µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/160ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

APT35GN120BG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

94A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 35A

전력-최대

379W

에너지 전환

2.315mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

220nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

24ns/300ns

테스트 조건

800V, 35A, 2.2Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

FGH75T65UPD

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전력-최대

375W

에너지 전환

2.85mJ (on), 1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

385nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

32ns/166ns

테스트 조건

400V, 75A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

85ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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