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AON6946

AON6946

참조 용

부품 번호 AON6946
PNEDA 부품 번호 AON6946
설명 MOSFET 2N-CH 30V 14A/18A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,228
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6946 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6946
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6946, AON6946 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 487.23 KB)
PDFAON6946 데이터 시트 표지
AON6946 데이터 시트 페이지 2 AON6946 데이터 시트 페이지 3 AON6946 데이터 시트 페이지 4 AON6946 데이터 시트 페이지 5 AON6946 데이터 시트 페이지 6 AON6946 데이터 시트 페이지 7 AON6946 데이터 시트 페이지 8 AON6946 데이터 시트 페이지 9 AON6946 데이터 시트 페이지 10

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AON6946 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A, 18A
Rds On (최대) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds485pF @ 15V
전력-최대3.5W, 3.9W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지8-DFN (5x6)

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate, 4.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

18A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1600pF @ 12V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN

공급자 장치 패키지

PG-TISON-8

APTMC120TAM33CTPAG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

78A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 60A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 3mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

148nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2850pF @ 1000V

전력-최대

370W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6-P

FDG6335N

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

700mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

300mOhm @ 700mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

113pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

APTM100H35FT3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

4 N-Channel (H-Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1000V (1kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

22A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 2.5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

186nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5200pF @ 25V

전력-최대

390W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

SSM6L40TU,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.6A (Ta), 1.4A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.1nC, 2.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF, 120pF @ 15V

전력-최대

500mW (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

UF6

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