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AON6971

AON6971

참조 용

부품 번호 AON6971
PNEDA 부품 번호 AON6971
설명 MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,346
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AON6971 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AON6971
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AON6971, AON6971 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 524.48 KB)
PDFAON6971 데이터 시트 표지
AON6971 데이터 시트 페이지 2 AON6971 데이터 시트 페이지 3 AON6971 데이터 시트 페이지 4 AON6971 데이터 시트 페이지 5 AON6971 데이터 시트 페이지 6 AON6971 데이터 시트 페이지 7 AON6971 데이터 시트 페이지 8 AON6971 데이터 시트 페이지 9 AON6971 데이터 시트 페이지 10

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AON6971 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈SRFET™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)23A, 40A
Rds On (최대) @ Id, Vgs5.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs23nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1010pF @ 15V
전력-최대5W, 4.1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerWDFN
공급자 장치 패키지8-DFN-EP (5x6)

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Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.6A, 11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.2mOhm @ 7.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

910pF @ 15V

전력-최대

1.4W, 2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMP2065UFDB-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

752pF @ 15V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

SH8M11TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI7222DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

29nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 20V

전력-최대

17.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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