AON6971
참조 용
| 부품 번호 | AON6971 |
| PNEDA 부품 번호 | AON6971 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 23A/40A 8DFN |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,346 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AON6971 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AON6971 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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AON6971 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | SRFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 23A, 40A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1010pF @ 15V |
| 전력-최대 | 5W, 4.1W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerWDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-DFN-EP (5x6) |
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제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Depletion Mode 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12mA, 3mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 540Ohm @ 0V Vgs (th) (최대) @ Id 3.45V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1171pF @ 10V 전력-최대 1.2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A, 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 51mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.9nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 230pF @ 10V 전력-최대 2W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 700pF @ 20V 전력-최대 17.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
