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US6K1TR

US6K1TR US6K1TR

참조 용

부품 번호 US6K1TR
PNEDA 부품 번호 US6K1TR
설명 MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT6
제조업체 Rohm Semiconductor
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재고 있음 2,178
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US6K1TR 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호US6K1TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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US6K1TR 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs240mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs2.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds80pF @ 10V
전력-최대1W
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지TUMT6

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

120mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.31nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

11pF @ 10V

전력-최대

700mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

SuperSOT™-6

SSM6N815R,LF

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSVIII-H

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 4V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

103mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

290pF @ 15V

전력-최대

1.8W (Ta)

작동 온도

150°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

6-TSOP-F

AO5803E

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

800mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

100pF @ 10V

전력-최대

400mW

작동 온도

-50°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-563, SOT-666

공급자 장치 패키지

SC-89-6

EMH2407-S-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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