SSM6N815R,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6N815R,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6N815R-LF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 100V 2A 6TSOPF |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,048 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6N815R 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6N815R,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6N815R 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | U-MOSVIII-H |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 3.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 290pF @ 15V |
| 전력-최대 | 1.8W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 6-TSOP-F |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 7.1mOhm @ 18.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1260pF @ 15V 전력-최대 39W, 100W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PowerPair® (6x5) |
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