AOP609
참조 용
| 부품 번호 | AOP609 |
| PNEDA 부품 번호 | AOP609 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 60V 8DIP |
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,202 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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AOP609 리소스
| 브랜드 | Alpha & Omega Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | AOP609 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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AOP609 사양
| 제조업체 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | - |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 570pF @ 30V |
| 전력-최대 | 2.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Through Hole |
| 패키지 / 케이스 | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-PDIP |
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제조업체 Powerex Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 100A Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 100A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id 1.6V @ 34mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 330nC @ 15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 8200pF @ 10V 전력-최대 415W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 38nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 690pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 15nC, 26.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 600pF @ 50V 전력-최대 3W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-HSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 30.5A (Ta), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 56nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2650pF @ 10V 전력-최대 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8SCD 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SCD |
