HP8M51TB1
참조 용
| 부품 번호 | HP8M51TB1 |
| PNEDA 부품 번호 | HP8M51TB1 |
| 설명 | HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,884 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 16 - 3월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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HP8M51TB1 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | HP8M51TB1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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HP8M51TB1 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 4.5A (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 4.5A, 10V, 290mOhm @ 4.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15nC, 26.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 600pF @ 50V |
| 전력-최대 | 3W (Ta) |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerTDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-HSOP |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 9.1A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 5.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.9V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 29nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1240pF @ 25V 전력-최대 21W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-5 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220-5 Full-Pak |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 81pF @ 15V 전력-최대 390mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 55V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 7.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 25µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 320pF @ 50V 전력-최대 14W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-5 Full Pack 공급자 장치 패키지 TO-220-5 Full-Pak |
제조업체 Monolithic Power Systems Inc. 시리즈 - FET 유형 3 N-Channel, Common Gate FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 80mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 190Ohm @ 10mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -20°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 850mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 23nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 6V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
