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AOT10B65M1

AOT10B65M1

참조 용

부품 번호 AOT10B65M1
PNEDA 부품 번호 AOT10B65M1
설명 IGBT 650V 10A TO220
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 14,904
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AOT10B65M1 리소스

브랜드 Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AOT10B65M1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AOT10B65M1, AOT10B65M1 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 550.87 KB)
PDFAOB10B65M1 데이터 시트 표지
AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 2 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 3 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 4 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 5 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 6 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 7 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 8 AOB10B65M1 데이터 시트 페이지 9

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AOT10B65M1 사양

제조업체Alpha & Omega Semiconductor Inc.
시리즈Alpha IGBT™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)20A
전류-수집기 펄스 (Icm)30A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2V @ 15V, 10A
전력-최대150W
에너지 전환180µJ (on), 130µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지24nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/91ns
테스트 조건400V, 10A, 30Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)262ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220

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제조업체

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시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

385µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/64ns

테스트 조건

400V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

IRG4IBC30W

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

45W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

38A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.5V @ 15V, 21A

전력-최대

200W

에너지 전환

10.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

155nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/270ns

테스트 조건

1360V, 21A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

230ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

230W

에너지 전환

430µJ (on), 350µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19ns/80ns

테스트 조건

400V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 (IXYH)

NGTB40N60L2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.61V @ 15V, 40A

전력-최대

417W

에너지 전환

1.17mJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

228nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

98ns/213ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

73ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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