APT12080JVR
참조 용
| 부품 번호 | APT12080JVR |
| PNEDA 부품 번호 | APT12080JVR |
| 설명 | MOSFET N-CH 1200V 15A ISOTOP |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,322 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 10 - 2월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT12080JVR 리소스
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APT12080JVR 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS V® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 15A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 7.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 485nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 7800pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 450W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ISOTOP® |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 1.4mOhm @ 200A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10990pF @ 40V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 380W (Tc) 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK (7-Lead) 패키지 / 케이스 TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
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