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APT15GN120KG

APT15GN120KG

참조 용

부품 번호 APT15GN120KG
PNEDA 부품 번호 APT15GN120KG
설명 IGBT 1200V 45A 195W TO220
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 5,940
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 1 - 4월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT15GN120KG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT15GN120KG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT15GN120KG, APT15GN120KG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 192.83 KB)
PDFAPT15GN120KG 데이터 시트 표지
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APT15GN120KG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈POWER MOS 7®
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)45A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
전력-최대195W
에너지 전환410µJ (on), 950µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C10ns/150ns
테스트 조건800V, 15A, 4.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220 [K]

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IRG4RC10KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

9A

전류-수집기 펄스 (Icm)

18A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.62V @ 15V, 5A

전력-최대

38W

에너지 전환

250µJ (on), 140µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

49ns/97ns

테스트 조건

480V, 5A, 100Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

28ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

NGTB50N120FL2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 50A

전력-최대

535W

에너지 전환

4.4mJ (on), 1.4mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

311nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

118ns/282ns

테스트 조건

600V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

256ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGS15B60KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

62A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 15A

전력-최대

208W

에너지 전환

220µJ (on), 340µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

56nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

34ns/184ns

테스트 조건

400V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

92ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

NGTB40N60L2WG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.61V @ 15V, 40A

전력-최대

417W

에너지 전환

1.17mJ (on), 280µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

228nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

98ns/213ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

73ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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제조업체

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.36V @ 15V, 41A

전력-최대

200W

에너지 전환

720µJ (on), 8.27mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/650ns

테스트 조건

480V, 41A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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