APT40M42JN
참조 용
| 부품 번호 | APT40M42JN |
| PNEDA 부품 번호 | APT40M42JN |
| 설명 | MOSFET N-CH 400V 86A ISOTOP |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,384 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 5월 2 - 5월 7 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APT40M42JN 리소스
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APT40M42JN 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS IV® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 400V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 86A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 43A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 760nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14000pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 690W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | ISOTOP® |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 128mOhm @ 2.4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 6nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 386pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 463mW (Ta), 1.9W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 TO-236AB 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 8.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.45V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - 기술 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 - 전력 손실 (최대) - 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-23-3 (TO-236) 패키지 / 케이스 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ III FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 49.4nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1905pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 80W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 27A (Ta), 110A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 35nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2100pF @ 20V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 3.7W (Ta), 68W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 5-DFN (5x6) (8-SOFL) 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN, 5 Leads |
