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RJH60D5BDPQ-E0#T2

RJH60D5BDPQ-E0#T2 RJH60D5BDPQ-E0#T2

참조 용

부품 번호 RJH60D5BDPQ-E0#T2
PNEDA 부품 번호 RJH60D5BDPQ-E0-T2
설명 IGBT 600V 75A 200W TO-247
제조업체 Renesas Electronics America
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 리소스

브랜드 Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RJH60D5BDPQ-E0#T2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
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RJH60D5BDPQ-E0#T2 사양

제조업체Renesas Electronics America
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)75A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 37A
전력-최대200W
에너지 전환400µJ (on), 810µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지78nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C50ns/130ns
테스트 조건300V, 37A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

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에너지 전환

770µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

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테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

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장착 유형

Through Hole

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제조업체

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시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

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100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

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