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APT50GF120JRDQ3

APT50GF120JRDQ3

참조 용

부품 번호 APT50GF120JRDQ3
PNEDA 부품 번호 APT50GF120JRDQ3
설명 IGBT 1200V 120A 521W SOT227
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 4,176
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT50GF120JRDQ3 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT50GF120JRDQ3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈

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APT50GF120JRDQ3 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Single
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전력-최대521W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 75A
전류-수집기 차단 (최대)750µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce5.32nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스ISOTOP
공급자 장치 패키지ISOTOP®

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

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Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 16A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Three Phase Bridge Rectifier

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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MiniPack2

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Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전력-최대

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전류-수집기 차단 (최대)

-

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

BSM300GA120DN2HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

구성

Single Switch

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

430A

전력-최대

2500W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 300A

전류-수집기 차단 (최대)

5.6mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

22nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

VS-GT400TH120N

Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2119W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

28.8nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Double INT-A-PAK (3 + 8)

공급자 장치 패키지

Double INT-A-PAK

FF150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

C

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

790W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 150A

전류-수집기 차단 (최대)

1mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

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NTC 서미스터

No

작동 온도

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