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APTC60DDAM45CT1G

APTC60DDAM45CT1G

참조 용

부품 번호 APTC60DDAM45CT1G
PNEDA 부품 번호 APTC60DDAM45CT1G
설명 MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,826
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC60DDAM45CT1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC60DDAM45CT1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC60DDAM45CT1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈CoolMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)49A
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 3mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs150nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds7200pF @ 25V
전력-최대250W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP1
공급자 장치 패키지SP1

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

660mA, 410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

600mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual) Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

270Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 10µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

10pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

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장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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FET 유형

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FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

75A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

260nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4500pF @ 25V

전력-최대

300W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 10.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

74nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

115mOhm @ 2.3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

467pF @ 10V

전력-최대

700mW

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