FDC6312P
참조 용
| 부품 번호 | FDC6312P |
| PNEDA 부품 번호 | FDC6312P |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 666,684 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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FDC6312P 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | FDC6312P |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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FDC6312P 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | PowerTrench® |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.3A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 467pF @ 10V |
| 전력-최대 | 700mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 공급자 장치 패키지 | SuperSOT™-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2A, 1.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 136mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 128pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 6-MCPH |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 95A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 42nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3600pF @ 20V 전력-최대 50W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 8 x 8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 8 x 8 Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 984pF @ 20V 전력-최대 11.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x3) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 85mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1140pF @ 30V 전력-최대 27W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 34A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 20V 전력-최대 23W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8 Dual |
