MCH6660-TL-W
참조 용
| 부품 번호 | MCH6660-TL-W |
| PNEDA 부품 번호 | MCH6660-TL-W |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A MCPH6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 154,722 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 17 - 4월 22 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MCH6660-TL-W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MCH6660-TL-W |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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MCH6660-TL-W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2A, 1.5A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 136mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.8nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 128pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 6-MCPH |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 250mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 12pF @ 10V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 ES6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.9A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 45mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 722pF @ 25V 전력-최대 2.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 870mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 252mOhm @ 900mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.25V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.65nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 81pF @ 15V 전력-최대 260mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 6-TSSOP |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 10V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® Gen IV FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 14A (Ta), 52A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 13mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1290pF @ 30V 전력-최대 5.2W (Ta), 69.4W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8SCD 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8SCD |
