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DMP3056LSDQ-13

DMP3056LSDQ-13

참조 용

부품 번호 DMP3056LSDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMP3056LSDQ-13
설명 MOSFETDUAL P-CHAN 30V SO-8
제조업체 Diodes Incorporated
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DMP3056LSDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMP3056LSDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMP3056LSDQ-13, DMP3056LSDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 403.02 KB)
PDFDMP3056LSDQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMP3056LSDQ-13 Distributor

DMP3056LSDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)6.9A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs13.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds722pF @ 25V
전력-최대2.5W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

61mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 9µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

490pF @ 25V

전력-최대

29W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount, Wettable Flank

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

PG-TDSON-8-10

ZXMC3A18DN8TA

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.8A, 4.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

36nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1800pF @ 25V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SSM6N15AFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13.5pF @ 3V

전력-최대

300mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

US6

ALD1107PBL

Advanced Linear Devices Inc.

제조업체

Advanced Linear Devices Inc.

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel, Matched Pair

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

10.6V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1800Ohm @ 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3pF @ 5V

전력-최대

500mW

작동 온도

0°C ~ 70°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

14-DIP (0.300", 7.62mm)

공급자 장치 패키지

14-PDIP

DMG1016VQ-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

870mA, 640mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

400mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.74nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

60.67pF @ 16V

전력-최대

530mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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SOT-563

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