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APTC80AM75SCG

APTC80AM75SCG

참조 용

부품 번호 APTC80AM75SCG
PNEDA 부품 번호 APTC80AM75SCG
설명 MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 2,520
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC80AM75SCG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC80AM75SCG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTC80AM75SCG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)56A
Rds On (최대) @ Id, Vgs75mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs364nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds9015pF @ 25V
전력-최대568W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta), 15.2A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.9nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

647pF @ 10V

전력-최대

890mW (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

FDZ1323NZ

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

24nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2055pF @ 10V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-XFBGA, WLCSP

공급자 장치 패키지

6-WLCSP (1.3x2.3)

SI3948DV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

105mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

3.2nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.15W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

6-TSOP

APTC60AM18SCG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

CoolMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

143A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 71.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1036nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

28000pF @ 25V

전력-최대

833W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

DMN2016UTS-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.58A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1495pF @ 10V

전력-최대

880mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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