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APTC80TA15PG

APTC80TA15PG

참조 용

부품 번호 APTC80TA15PG
PNEDA 부품 번호 APTC80TA15PG
설명 MOSFET 6N-CH 800V 28A SP6P
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 7,704
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 25 - 3월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTC80TA15PG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTC80TA15PG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • APTC80TA15PG Distributor

APTC80TA15PG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs150mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 2mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs180nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4507pF @ 25V
전력-최대277W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6-P

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ON Semiconductor

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

350pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

SIZ728DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A, 35A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.7mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

890pF @ 12.5V

전력-최대

27W, 48W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-PowerPair™

공급자 장치 패키지

6-PowerPair™

TPCF8201(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 1.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 200µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

590pF @ 10V

전력-최대

330mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

VS-8 (2.9x1.5)

APTM20DUM10TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

175A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 87.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 5mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

224nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13700pF @ 25V

전력-최대

694W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

BSS138PS,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 300mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

420mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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