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APTGF50DDA60T3G

APTGF50DDA60T3G

참조 용

부품 번호 APTGF50DDA60T3G
PNEDA 부품 번호 APTGF50DDA60T3G
설명 IGBT MODULE NPT BOOST CHOP SP3
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
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APTGF50DDA60T3G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTGF50DDA60T3G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
APTGF50DDA60T3G, APTGF50DDA60T3G 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 512.14 KB)
PDFAPTGF50DDA60T3G 데이터 시트 표지
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  • APTGF50DDA60T3G Distributor

APTGF50DDA60T3G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
구성Dual Boost Chopper
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)65A
전력-최대250W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.45V @ 15V, 50A
전류-수집기 차단 (최대)250µA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce2.2nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터Yes
작동 온도-
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP3
공급자 장치 패키지SP3

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1200V

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780A

전력-최대

2140W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

4mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

58.5nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

600A

전력-최대

2100W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 450A

전류-수집기 차단 (최대)

5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

32nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

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Vishay Semiconductor Diodes Division

제조업체

Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Full Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

182A

전력-최대

892W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

120µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

-

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

ECONO3 4PACK

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 75A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

4.62nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP2

공급자 장치 패키지

SP2

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

180A

전력-최대

760W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

7.5mA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.6nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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