APTM100DA18CT1G
참조 용
| 부품 번호 | APTM100DA18CT1G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM100DA18CT1G |
| 설명 | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,784 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM100DA18CT1G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM100DA18CT1G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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APTM100DA18CT1G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | POWER MOS 8™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 40A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 570nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 14800pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 657W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | SP1 |
| 패키지 / 케이스 | SP1 |
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제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 860mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.56nC @ 4.5V Vgs (최대) 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 200pF @ 16V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 350mW (Ta) 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 SOT-563 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 FETKY™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 4.5V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - FET 기능 Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-SO 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 19nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 360pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 140A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 200nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5730pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 200W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D2PAK 패키지 / 케이스 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
