APTM10TDUM09PG
참조 용
| 부품 번호 | APTM10TDUM09PG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM10TDUM09PG |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,726 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 30 - 4월 4 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM10TDUM09PG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM10TDUM09PG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM10TDUM09PG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 139A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 350nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6-P |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 188mOhm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 88pF @ 10V 전력-최대 800mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 SC-88FL/MCPH6 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 18.5A (Ta), 49A (Tc), 27A (Ta), 85A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.3mOhm @ 20A, 10V, 2.6mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.1V @ 250µA, 1.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V, 40nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 820pF @ 15V, 1890pF @ 15V 전력-최대 3.1W (Ta), 21W (Tc), 3.1W (Ta), 31.5W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 200mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 1Ohm @ 200mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 25pF @ 10V 전력-최대 150mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 EMT6 |
