MCH6661-TL-W
참조 용
| 부품 번호 | MCH6661-TL-W |
| PNEDA 부품 번호 | MCH6661-TL-W |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 1.8A SOT363 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 77,466 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 23 - 2월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MCH6661-TL-W 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MCH6661-TL-W |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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MCH6661-TL-W 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 4V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 188mOhm @ 900mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.6V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 88pF @ 10V |
| 전력-최대 | 800mW |
| 작동 온도 | 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88FL/MCPH6 |
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제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.4nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 640pF @ 10V 전력-최대 1.12W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 5.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 745pF @ 10V 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 6 N-Channel (3-Phase Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A Rds On (최대) @ Id, Vgs 150mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 180nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 4507pF @ 25V 전력-최대 277W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP6 공급자 장치 패키지 SP6-P |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 15µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 26nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1990pF @ 25V 전력-최대 41W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-10 |
