APTM120TDU57PG
참조 용
| 부품 번호 | APTM120TDU57PG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM120TDU57PG |
| 설명 | MOSFET 6N-CH 1200V 17A SP6-P |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,124 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 27 - 4월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM120TDU57PG 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM120TDU57PG |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM120TDU57PG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 17A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 684mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 5155pF @ 25V |
| 전력-최대 | 390W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP6 |
| 공급자 장치 패키지 | SP6-P |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 39A Rds On (최대) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 2.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 259nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 7000pF @ 25V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 24mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 710pF @ 10V 전력-최대 1.5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 8-ECH |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.5A, 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 11.4mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1400pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 - 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 Power56 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.5A, 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21.5mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 665pF @ 15V 전력-최대 1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-MLP (5x6), Power56 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3A, 2.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 505pF @ 20V 전력-최대 1W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SMD, Flat Lead 공급자 장치 패키지 SOT-28FL/VEC8 |
