APTM20DUM05TG
참조 용
| 부품 번호 | APTM20DUM05TG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM20DUM05TG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP8 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,138 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM20DUM05TG 리소스
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APTM20DUM05TG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 333A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 166.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 8mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1184nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 40800pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 36mOhm @ 1.25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.8nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 572pF @ 25V 전력-최대 27.8W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount, Wettable Flank 패키지 / 케이스 PowerPAK® 1212-8W Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® 1212-8W Dual |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1010pF @ 10V 전력-최대 19.8W, 21.9W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual |
제조업체 시리즈 NexFET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate, 5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1.04nF @ 12.5V, 2.51nF @ 12.5V 전력-최대 12W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-VSON-CLIP (5x6) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 21mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 32nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 Automotive, AEC-Q101 FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 13A (Ta), 9.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 PowerDI5060-8 |
