SQS966ENW-T1_GE3
참조 용
| 부품 번호 | SQS966ENW-T1_GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SQS966ENW-T1_GE3 |
| 설명 | MOSFET N-CHAN 60V |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SQS966ENW-T1_GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SQS966ENW-T1_GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SQS966ENW-T1_GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 6A (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.8nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 572pF @ 25V |
| 전력-최대 | 27.8W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 패키지 / 케이스 | PowerPAK® 1212-8W Dual |
| 공급자 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8W Dual |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 6V 전력-최대 6.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 39mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 20nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 540pF @ 25V 전력-최대 3.2W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
제조업체 Central Semiconductor Corp 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 280mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.59nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 50pF @ 25V 전력-최대 350mW 작동 온도 -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.5A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.5nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 780pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 448pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
