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TPC8208(TE12L,Q)

TPC8208(TE12L,Q)

참조 용

부품 번호 TPC8208(TE12L,Q)
PNEDA 부품 번호 TPC8208-TE12L-Q
설명 MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
단가 견적 요청
재고 있음 3,490
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 6 - 12월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

TPC8208(TE12L 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호TPC8208(TE12L,Q)
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
TPC8208(TE12L, TPC8208(TE12L 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 224.48 KB)
PDFTPC8208(TE12L 데이터 시트 표지
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  • TPC8208(TE12L,Q) Distributor

TPC8208(TE12L 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs50mOhm @ 2.5A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id1.2V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs9.5nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds780pF @ 10V
전력-최대450mW
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOP (5.5x6.0)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.7mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 20µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2890pF @ 25V

전력-최대

50W

작동 온도

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장착 유형

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제조업체

Panasonic Electronic Components

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

23mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

700mV @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

28nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1478pF @ 10V

전력-최대

2.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

VQ2001P

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

4 P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

600mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2Ohm @ 1A, 12V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tj)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 7mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.8nC @ 5V

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