APTM20UM05SG
참조 용
| 부품 번호 | APTM20UM05SG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM20UM05SG |
| 설명 | MOSFET N-CH 200V 317A J3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,050 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 3월 24 - 3월 29 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM20UM05SG 리소스
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APTM20UM05SG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 317A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5mOhm @ 158.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 10mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 448nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 27400pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 1136W (Tc) |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 공급자 장치 패키지 | Module |
| 패키지 / 케이스 | J3 Module |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 176mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 84nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2030pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 227W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220AB 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
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