APTM50AM19STG
참조 용
| 부품 번호 | APTM50AM19STG |
| PNEDA 부품 번호 | APTM50AM19STG |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,084 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 20 - 4월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM50AM19STG 리소스
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APTM50AM19STG 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET 기능 | Silicon Carbide (SiC) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 170A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 85A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 10mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| 전력-최대 | 1250W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP4 |
| 공급자 장치 패키지 | SP4 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual), Schottky FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10.3A, 13.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 1.1W, 1.16W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerTDFN 공급자 장치 패키지 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical) |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 8™ FET 유형 4 N-Channel (H-Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 19A Rds On (최대) @ Id, Vgs 552mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 260nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 6800pF @ 25V 전력-최대 357W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP3 공급자 장치 패키지 SP3 |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 50A, 60A Rds On (최대) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 820pF @ 15V 전력-최대 3.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerSMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 8-DFN-EP (5x6) |
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 4.8A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2010pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP (5.5x6.0) |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 115mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 315pF @ 15V 전력-최대 1.15W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SC-74, SOT-457 공급자 장치 패키지 6-TSOP |
