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APTM50AM35FTG

APTM50AM35FTG

참조 용

부품 번호 APTM50AM35FTG
PNEDA 부품 번호 APTM50AM35FTG
설명 MOSFET 2N-CH 500V 99A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 6,876
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50AM35FTG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50AM35FTG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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APTM50AM35FTG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)99A
Rds On (최대) @ Id, Vgs39mOhm @ 49.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs280nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds14000pF @ 25V
전력-최대781W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

60nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2458pF @ 15V

전력-최대

3.3W, 3.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

CSD85312Q3E

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제조업체

시리즈

NexFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET 기능

Logic Level Gate, 5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

39A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.4mOhm @ 10A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15.2nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2390pF @ 10V

전력-최대

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

공급자 장치 패키지

8-VSON (3.3x3.3)

AO4614A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A, 5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

STS4DNF60

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

315pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

UT6K3TCR

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

450pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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