CSD85312Q3E
참조 용
| 부품 번호 | CSD85312Q3E | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | CSD85312Q3E | ||||||||||||||||||
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Texas Instruments | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 2,238 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 4월 5 - 4월 10 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
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CSD85312Q3E 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | CSD85312Q3E |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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CSD85312Q3E 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | NexFET™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| FET 기능 | Logic Level Gate, 5V Drive |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 39A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 2390pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2.5W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | 8-VSON (3.3x3.3) |
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 11nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ II FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 600mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 2.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 800pF @ 25V 전력-최대 1.5W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) 공급자 장치 패키지 8-TSSOP |
