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APTM50DHM75TG

APTM50DHM75TG

참조 용

부품 번호 APTM50DHM75TG
PNEDA 부품 번호 APTM50DHM75TG
설명 MOSFET 2N-CH 500V 46A SP4
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,982
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50DHM75TG 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50DHM75TG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM50DHM75TG, APTM50DHM75TG 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 286.2 KB)
PDFAPTM50DHM75TG 데이터 시트 표지
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  • APTM50DHM75TG Distributor

APTM50DHM75TG 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)46A
Rds On (최대) @ Id, Vgs90mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs123nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5600pF @ 25V
전력-최대357W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP4
공급자 장치 패키지SP4

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60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

56mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

540pF @ 30V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

28mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

12nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 10V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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Panasonic Electronic Components

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

전력-최대

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353

공급자 장치 패키지

SMini5-G1

SP8M3FU6TB

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

APTMC120AM25CT3AG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Silicon Carbide (SiC)

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

113A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

25mOhm @ 80A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 4mA (Typ)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

197nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3800pF @ 1000V

전력-최대

500W

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