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DMG6301UDW-7

DMG6301UDW-7

참조 용

부품 번호 DMG6301UDW-7
PNEDA 부품 번호 DMG6301UDW-7
설명 MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 22,092
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 28 - 3월 5 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMG6301UDW-7 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMG6301UDW-7
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMG6301UDW-7, DMG6301UDW-7 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 272.66 KB)
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DMG6301UDW-7 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)240mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs0.36nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds27.9pF @ 10V
전력-최대300mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스6-TSSOP, SC-88, SOT-363
공급자 장치 패키지SOT-363

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.9nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

85pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

35V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

960pF @ 20V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

DMN3032LFDBQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.6nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

500pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2020-6 (Type B)

SI4946BEY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

41mOhm @ 5.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

840pF @ 30V

전력-최대

3.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

43A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

10mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1060pF @ 25V

전력-최대

34W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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