APTM50DSK10T3G
참조 용
| 부품 번호 | APTM50DSK10T3G |
| PNEDA 부품 번호 | APTM50DSK10T3G |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3 |
| 제조업체 | Microsemi |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,380 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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APTM50DSK10T3G 리소스
| 브랜드 | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | APTM50DSK10T3G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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APTM50DSK10T3G 사양
| 제조업체 | Microsemi Corporation |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 500V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 37A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 18.5A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 4367pF @ 25V |
| 전력-최대 | 312W |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SP3 |
| 공급자 장치 패키지 | SP3 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 µCool™ FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.6A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 65mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.7nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 271pF @ 10V 전력-최대 710mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-WDFN (2x2) |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.01V @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 600mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Advanced Linear Devices Inc. 시리즈 EPAD®, Zero Threshold™ FET 유형 4 N-Channel, Matched Pair FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 10.6V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 500Ohm @ 4V Vgs (th) (최대) @ Id 20mV @ 1µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2.5pF @ 5V 전력-최대 500mW 작동 온도 0°C ~ 70°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 16-SOIC |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.34A, 1.14A Rds On (최대) @ Id, Vgs 400mOhm @ 600mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.74nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 60.67pF @ 16V 전력-최대 1.12W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-23-6 공급자 장치 패키지 SOT-26 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 8V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 775mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 300mOhm @ 570mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 4nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 225pF @ 8V 전력-최대 270mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SC-88/SC70-6/SOT-363 |
