NTJD2152PT4G
참조 용
| 부품 번호 | NTJD2152PT4G |
| PNEDA 부품 번호 | NTJD2152PT4G |
| 설명 | MOSFET 2P-CH 8V 0.775A SOT-363 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,228 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 26 - 12월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTJD2152PT4G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTJD2152PT4G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTJD2152PT4G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 8V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 775mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 570mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 225pF @ 8V |
| 전력-최대 | 270mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 4V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.6A (Ta), 1.4A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 122mOhm @ 1A, 10V, 226mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.6V @ 1mA, 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 5.1nC, 2.9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 180pF, 120pF @ 15V 전력-최대 500mW (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지 UF6 |
