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APTM50DUM19G

APTM50DUM19G

참조 용

부품 번호 APTM50DUM19G
PNEDA 부품 번호 APTM50DUM19G
설명 MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 8,064
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 9 - 2월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APTM50DUM19G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APTM50DUM19G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
APTM50DUM19G, APTM50DUM19G 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 280.83 KB)
PDFAPTM50DUM19G 데이터 시트 표지
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  • APTM50DUM19G Distributor

APTM50DUM19G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)163A
Rds On (최대) @ Id, Vgs22.5mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id5V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs492nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds22400pF @ 25V
전력-최대1136W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스SP6
공급자 장치 패키지SP6

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

540mA, 430mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 16V

전력-최대

250mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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SOT-563

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.55V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

960pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

VMM45-02F

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IXYS

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

45A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 22.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

225nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7500pF @ 25V

전력-최대

190W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

TO-240AA

공급자 장치 패키지

TO-240AA

BUK9K52-60E,115

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

49mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

725pF @ 25V

전력-최대

32W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-1205, 8-LFPAK56

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FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

19mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

850mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

23nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2100pF @ 6V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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