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FDS8947A

FDS8947A

참조 용

부품 번호 FDS8947A
PNEDA 부품 번호 FDS8947A
설명 MOSFET 2P-CH 30V 4A 8SOIC
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,078
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 26 - 3월 31 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDS8947A 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDS8947A
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDS8947A, FDS8947A 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 239.93 KB)
PDFFDS8947A 데이터 시트 표지
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FDS8947A 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs52mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs27nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds730pF @ 15V
전력-최대900mW
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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FET 유형

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20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 5.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1286pF @ 10V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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APTC90DDA12T1G

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시리즈

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FET 유형

2 N Channel (Dual Buck Chopper)

FET 기능

Super Junction

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 26A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6800pF @ 100V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

APTM10DUM02G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

495A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.5mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 10mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1360nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

40000pF @ 25V

전력-최대

1250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP6

공급자 장치 패키지

SP6

CTLDM304P-M832DS TR

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제조업체

Central Semiconductor Corp

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 15V

전력-최대

1.65W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

TLM832DS

CPH5617-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.7Ohm @ 80mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.58nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7pF @ 10V

전력-최대

250mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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