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AS4C256M16D3L-12BIN

AS4C256M16D3L-12BIN

참조 용

부품 번호 AS4C256M16D3L-12BIN
PNEDA 부품 번호 AS4C256M16D3L-12BIN
설명 IC DRAM 4G PARALLEL 96FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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재고 있음 5,292
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C256M16D3L-12BIN 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C256M16D3L-12BIN
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C256M16D3L-12BIN, AS4C256M16D3L-12BIN 데이터 시트 (총 페이지: 89, 크기: 2,090.38 KB)
PDFAS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 표지
AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 2 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 3 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 4 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 5 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 6 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 7 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 8 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 9 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 10 AS4C256M16D3L-12BINTR 데이터 시트 페이지 11

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AS4C256M16D3L-12BIN 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3L
메모리 크기4Gb (256M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간20ns
전압-공급1.283V ~ 1.45V
작동 온도-40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스96-TFBGA
공급자 장치 패키지96-FBGA (9x13)

관심을 가질만한 제품

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Fremont Micro Devices Ltd

제조업체

Fremont Micro Devices Ltd

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

550ns

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-DFN (2x3)

AS7C3256A-20JIN

Alliance Memory, Inc.

제조업체

Alliance Memory, Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

256Kb (32K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20ns

접근 시간

20ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

28-BSOJ (0.300", 7.62mm Width)

공급자 장치 패키지

28-SOJ

IS43LD32320A-25BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR2

메모리 크기

1Gb (32M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

134-TFBGA

공급자 장치 패키지

134-TFBGA (10x11.5)

AT45DB081B-CNI

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

8Mb (264 Bytes x 4096 pages)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

20MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

14ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN

공급자 장치 패키지

8-CASON (6x8)

제조업체

Macronix

시리즈

MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-TBGA, CSPBGA

공급자 장치 패키지

24-TFBGA (6x8)

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