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AS4C64M8D3-12BCNTR

AS4C64M8D3-12BCNTR

참조 용

부품 번호 AS4C64M8D3-12BCNTR
PNEDA 부품 번호 AS4C64M8D3-12BCNTR
설명 IC DRAM 512M PARALLEL 78FBGA
제조업체 Alliance Memory, Inc.
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예상 배송 11월 4 - 11월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AS4C64M8D3-12BCNTR 리소스

브랜드 Alliance Memory, Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AS4C64M8D3-12BCNTR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AS4C64M8D3-12BCNTR, AS4C64M8D3-12BCNTR 데이터 시트 (총 페이지: 84, 크기: 2,386.21 KB)
PDFAS4C64M8D3-12BINTR 데이터 시트 표지
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AS4C64M8D3-12BCNTR 사양

제조업체Alliance Memory, Inc.
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR3
메모리 크기512Mb (64M x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간20ns
전압-공급1.425V ~ 1.575V
작동 온도0°C ~ 95°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스78-VFBGA
공급자 장치 패키지78-FBGA (8x10.5)

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제조업체

Maxim Integrated

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

34-PowerCap™ Module

공급자 장치 패키지

34-PowerCap Module

S71KS512SC0BHB003

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

Automotive, AEC-Q100, HyperFlash™ + HyperRAM™ KL

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH, DRAM

메모리 크기

512Mbit Flash, 64Mbit RAM

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 105°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-VBGA

공급자 장치 패키지

24-FBGA (6x8)

CAT28LV64GI20

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

64Kb (8K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

200ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-LCC (J-Lead)

공급자 장치 패키지

32-PLCC (11.43x13.97)

S99-50295 P

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

-

메모리 포맷

-

기술

-

메모리 크기

-

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

MT44K16M36RB-093:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

576Mb (16M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

10ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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168-BGA (13.5x13.5)

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