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AT24C16N-10SC-2.7

AT24C16N-10SC-2.7

참조 용

부품 번호 AT24C16N-10SC-2.7
PNEDA 부품 번호 AT24C16N-10SC-2-7
설명 IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOIC
제조업체 Microchip Technology
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AT24C16N-10SC-2.7 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT24C16N-10SC-2.7
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT24C16N-10SC-2.7, AT24C16N-10SC-2.7 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 310.1 KB)
PDFAT24C04N-10SI-2.7-T 데이터 시트 표지
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AT24C16N-10SC-2.7 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기16Kb (2K x 8)
메모리 인터페이스I²C
시계 주파수400kHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지5ms
접근 시간900ns
전압-공급2.7V ~ 5.5V
작동 온도0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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메모리 유형

Non-Volatile

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기술

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메모리 크기

64kb (32B Page Size)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

750kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

PC28F128G18FF TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

133MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

96ns

접근 시간

96ns

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (8x10)

MT47H128M8B7-5E L:A TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR2

메모리 크기

1Gb (128M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

600ps

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

92-VFBGA

공급자 장치 패키지

92-FBGA (11x19)

제조업체

Macronix

시리즈

MX25xxx45 - MXSMIO™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

64Mb (8M x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

104MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

300µs, 5ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-WSON (8x6)

IS43R16320D-6BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR

메모리 크기

512Mb (32M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

166MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

700ps

전압-공급

2.3V ~ 2.7V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

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