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AT27LV256A-15TI

AT27LV256A-15TI

참조 용

부품 번호 AT27LV256A-15TI
PNEDA 부품 번호 AT27LV256A-15TI
설명 IC EPROM 256K PARALLEL 28TSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AT27LV256A-15TI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT27LV256A-15TI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT27LV256A-15TI, AT27LV256A-15TI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 284.84 KB)
PDFAT27LV256A-90TI 데이터 시트 표지
AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 2 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 3 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 4 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 5 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 6 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 7 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 8 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 9 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 10 AT27LV256A-90TI 데이터 시트 페이지 11

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AT27LV256A-15TI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EPROM
기술EPROM - OTP
메모리 크기256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간150ns
전압-공급3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width)
공급자 장치 패키지28-TSOP

관심을 가질만한 제품

CY7C1513KV18-250BZI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, QDR II

메모리 크기

72Mb (4M x 18)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

250MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

IDT71V416YL12PH

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

12ns

접근 시간

12ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

M45PE20-VMN6P

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

2Mb (256K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

75MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ms, 3ms

접근 시간

-

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

RC28F128J3F75G

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

StrataFlash™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8, 8M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

75ns

접근 시간

75ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-TBGA

공급자 장치 패키지

64-EasyBGA (10x13)

71024S15YG8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

15ns

접근 시간

15ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

32-SOJ

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