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AT28C010E-12TI

AT28C010E-12TI

참조 용

부품 번호 AT28C010E-12TI
PNEDA 부품 번호 AT28C010E-12TI
설명 IC EEPROM 1M PARALLEL 32TSOP
제조업체 Microchip Technology
단가 견적 요청
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AT28C010E-12TI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT28C010E-12TI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT28C010E-12TI, AT28C010E-12TI 데이터 시트 (총 페이지: 13, 크기: 253.15 KB)
PDFAT28C010E-20TI 데이터 시트 표지
AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 2 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 3 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 4 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 5 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 6 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 7 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 8 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 9 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 10 AT28C010E-20TI 데이터 시트 페이지 11

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AT28C010E-12TI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷EEPROM
기술EEPROM
메모리 크기1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수-
쓰기주기 시간-단어, 페이지10ms
접근 시간120ns
전압-공급4.5V ~ 5.5V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스32-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
공급자 장치 패키지32-TSOP

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메모리 유형

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메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

7.5ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

119-BGA

공급자 장치 패키지

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Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR4

메모리 크기

64Gb (2G x 32)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1866MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.1V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IDT71V65603S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)

메모리 크기

9Mb (256K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

150MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.8ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

100-LQFP

공급자 장치 패키지

100-TQFP (14x14)

CY14B116N-BA25XI

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

16Mb (1M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

25ns

접근 시간

25ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

60-LFBGA

공급자 장치 패키지

60-FBGA (10x18)

MT44K32M36RB-083F:A

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

DRAM

메모리 크기

1.125Gb (32Mb x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1200MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

6.67ns

전압-공급

1.28V ~ 1.42V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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