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AT45DB081B-RI

AT45DB081B-RI

참조 용

부품 번호 AT45DB081B-RI
PNEDA 부품 번호 AT45DB081B-RI
설명 IC FLASH 8M SPI 20MHZ 28SOIC
제조업체 Microchip Technology
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AT45DB081B-RI 리소스

브랜드 Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DB081B-RI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DB081B-RI, AT45DB081B-RI 데이터 시트 (총 페이지: 33, 크기: 218.1 KB)
PDFAT45DB081B-CNI 데이터 시트 표지
AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 2 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 3 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 4 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 5 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 6 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 7 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 8 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 9 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 10 AT45DB081B-CNI 데이터 시트 페이지 11

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  • AT45DB081B-RI Distributor

AT45DB081B-RI 사양

제조업체Microchip Technology
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기8Mb (264 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI
시계 주파수20MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지14ms
접근 시간-
전압-공급2.7V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스28-SOIC (0.342", 8.69mm Width)
공급자 장치 패키지28-SOIC

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

4Kb (512 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

2.5V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

AT28BV16-30PC

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

3ms

접근 시간

300ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

24-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

24-PDIP

IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

PSRAM

기술

PSRAM (Pseudo SRAM)

메모리 크기

32Mb (2M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

70ns

접근 시간

70ns

전압-공급

1.7V ~ 1.95V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-VFBGA

공급자 장치 패키지

54-VFBGA (6x8)

CY7C1470V25-167BZC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

NoBL™

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

72Mb (2M x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

167MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.4ns

전압-공급

2.375V ~ 2.625V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (15x17)

25AA128X-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

128Kb (16K x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

10MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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