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AT45DQ161-MHF-T

AT45DQ161-MHF-T

참조 용

부품 번호 AT45DQ161-MHF-T
PNEDA 부품 번호 AT45DQ161-MHF-T
설명 IC FLASH 16M SPI 85MHZ 8UDFN
제조업체 Adesto Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 7,542
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AT45DQ161-MHF-T 리소스

브랜드 Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AT45DQ161-MHF-T
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
AT45DQ161-MHF-T, AT45DQ161-MHF-T 데이터 시트 (총 페이지: 82, 크기: 2,714.27 KB)
PDFAT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 표지
AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 2 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 3 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 4 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 5 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 6 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 7 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 8 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 9 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 10 AT45DQ161-SSHD-T 데이터 시트 페이지 11

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AT45DQ161-MHF-T 사양

제조업체Adesto Technologies
시리즈-
메모리 유형Non-Volatile
메모리 포맷FLASH
기술FLASH
메모리 크기16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
메모리 인터페이스SPI - Quad I/O
시계 주파수85MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지8µs, 6ms
접근 시간-
전압-공급2.3V ~ 3.6V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-UDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지8-UDFN (5x6)

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Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

10ms

접근 시간

90ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

32-DIP (0.600", 15.24mm)

공급자 장치 패키지

32-PDIP

IS42S16160B-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (16M x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.4ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

54-TSOP II

47C16-I/S16K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EERAM

기술

EEPROM, SRAM

메모리 크기

16Kb (2K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

400ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

MT29RZ2B2DZZHHTB-18W.88F TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH, RAM

기술

FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2

메모리 크기

2Gb (256M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

533MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.8V

작동 온도

-25°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

162-VFBGA

공급자 장치 패키지

162-VFBGA (10.5x8)

IDT71V35761S183BQG

IDT, Integrated Device Technology

제조업체

IDT, Integrated Device Technology Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, SDR

메모리 크기

4.5Mb (128K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

183MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

3.3ns

전압-공급

3.135V ~ 3.465V

작동 온도

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장착 유형

Surface Mount

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