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AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR

참조 용

부품 번호 AUIRFN8458TR
PNEDA 부품 번호 AUIRFN8458TR
설명 MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,624
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 25 - 4월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AUIRFN8458TR 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AUIRFN8458TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
AUIRFN8458TR, AUIRFN8458TR 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 735.48 KB)
PDFAUIRFN8458TR 데이터 시트 표지
AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 2 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 3 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 4 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 5 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 6 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 7 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 8 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 9 AUIRFN8458TR 데이터 시트 페이지 10

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  • AUIRFN8458TR Distributor

AUIRFN8458TR 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)43A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs10mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3.9V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs33nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1060pF @ 25V
전력-최대34W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지PQFN (5x6)

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 10V

전력-최대

800mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

800V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

290mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

90nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2254pF @ 25V

전력-최대

156W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

제조업체

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시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

55V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

16.9A (Tc), 9.16A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9mOhm @ 10A, 10V, 22.6mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

54nC @ 5V, 23nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5178pF @ 25V, 2315pF @ 25V

전력-최대

5.2W (Tc), 3.9W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

20-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

20-SO

AO4616

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제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

888pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.3W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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