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BA783S-E3-08

BA783S-E3-08

참조 용

부품 번호 BA783S-E3-08
PNEDA 부품 번호 BA783S-E3-08
설명 RF DIODE PIN 35V SOD323
제조업체 Vishay Semiconductor Diodes Division
단가 견적 요청
재고 있음 3,564
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 7 - 12월 12 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BA783S-E3-08 리소스

브랜드 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BA783S-E3-08
분류반도체다이오드 및 정류기다이오드-RF
데이터 시트
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PDFBA783S-HE3-08 데이터 시트 표지
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BA783S-E3-08 사양

제조업체Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈-
다이오드 유형PIN - Single
전압-피크 역방향 (최대)35V
현재-최대100mA
커패시턴스 @ Vr, F1.2pF @ 3V, 1MHz
저항 @ If, F1.2Ohm @ 3mA, 1GHz
전력 손실 (최대)-
작동 온도125°C (TJ)
패키지 / 케이스SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지SOD-323

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4V

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130mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.75pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 10kHz

전력 손실 (최대)

150mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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SOT-23-3

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시리즈

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다이오드 유형

PIN - Single

전압-피크 역방향 (최대)

600V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

-

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

2.5W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TA)

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

BAT1505WE6327HTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Pair Common Cathode

전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

110mA

커패시턴스 @ Vr, F

0.35pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

100mW

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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전압-피크 역방향 (최대)

4V

현재-최대

-

커패시턴스 @ Vr, F

0.25pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

HSMS-2817-BLKG

Broadcom

제조업체

Broadcom Limited

시리즈

-

다이오드 유형

Schottky - 1 Bridge

전압-피크 역방향 (최대)

20V

현재-최대

1A

커패시턴스 @ Vr, F

1.2pF @ 0V, 1MHz

저항 @ If, F

15Ohm @ 5mA, 1MHz

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

150°C (TJ)

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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